近日，日本功率半导体制造商ROHM公司宣布开发出额定功率为1700V / 250A的SiC功率模块，该功率模块可提供业界最高水平的可靠性，针对室外发电系统和工业高功率电源等领域应用的逆变器和转换器应用了进行优化。

近年来，由于其节能优势，SiC在电动汽车（EV）和工业设备等1200V应用中得到了越来越多的应用。功率密度更高的趋势导致更高的系统电压，增加了对1700V产品的需求。然而，当前的器件难以实现所需的可靠性，因此硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）通常优选用于1700V应用。

    为此，ROHM能够在1700V时实现高可靠性，同时保持其1200V SiC产品的节能性能，实现了所谓的1700V级SiC功率模块的首次商业化。

    新型BSM250D17P2E004产品引入了一种新的封装方法和涂层材料，以保护芯片免受介电击穿，并抑制漏电流的增加，使模块能够通过HV-H3TRB可靠性测试。例如，在这种高压、高温、高湿度反向偏压测试期间，当在85°C和85％湿度下施加1360V超过1000小时时，器件没有出现故障，不同于传统IGBT模块，通常在1000小时以内因电介质击穿而导致失效。为确保最高水平的可靠性，ROHM以不同的间隔测试了模块的漏电流，最高阻断电压为1700V。

   将ROHM经过验证的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和SiC肖特基势垒二极管（SBD）整合到同一模块中并优化内部结构，可使其导通电阻比其他同等级SiC产品低10％。ROHM表示，这可以在任何应用中实现更好的节能和减少散热。

      ROHM的目标是继续扩大其产品阵容，同时提供评估板，以便轻松测试和验证其SiC模块。